[发明专利]半导体结构与在鳍状装置之鳍状结构之间形成隔离的方法

摘要

一种半导体结构和用来于从块体硅晶片所形成的鳍状结构之间形成隔离的方法。块体硅晶片具有一个或多个从该块体硅晶片所形成的鳍状结构。该鳍状结构的形成在该一个或多个鳍状结构之间界定隔离沟槽。各该鳍状结构具有垂直侧壁。使用HPDCVD将4:1或更高比例的氧化层沉积在该隔离沟槽中和该垂直侧壁上，该氧化层被等向性蚀刻，以从该垂直侧壁移除该氧化层以及从该隔离沟槽的底部移除该氧化层的一部分。实质均匀厚的隔离氧化层是形成在该隔离沟槽的该底部，以隔离该一个或多个鳍状结构，并实质降低鳍片高度变化率。

主权项

一种用来在半导体衬底中形成鳍状场效应晶体管装置的方法，包括下列步骤：从该半导体衬底形成一个或多个鳍状结构，该鳍状结构包含垂直侧壁，形成该一个或多个鳍状结构的步骤在该一个或多个鳍状结构之间的所曝露的半导体衬底上界定隔离沟槽；在该隔离沟槽的底部表面上和该一个或多个鳍状结构的该垂直侧壁上沉积氧化层，该隔离沟槽的该底部表面上的该氧化层具有大于该垂直侧壁上的该氧化层的厚度；以及从该垂直侧壁移除该氧化层以及从该隔离沟槽移除至少一部分该氧化层，以在该隔离沟槽中形成均匀厚的隔离氧化层，其中，移除氧化物的步骤包括等向性地从该垂直侧壁蚀刻该氧化层及从该隔离沟槽蚀刻一部分该氧化层。