[发明专利]制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201510764757.2 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105590898B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 皆见健史;村田道昭;山崎宪二;大塚勤 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;陈源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体芯片的方法，包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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