[发明专利]半导体结构的制造方法以及相关半导体结构

摘要

半导体结构的制造方法以及相关半导体结构。形成半导体结构的方法包括提供多层衬底，该多层衬底具有覆在位于埋置氧化物层之上的应变主半导体层上的外延基层。使用外延基层内的元素来改变多层衬底的第一区域内的主半导体层中的应变状态，而不改变多层衬底的第二区域内的主半导体层的应变状态。形成各包括多层衬底第一区域内的主半导体层的一部分的第一多个晶体管沟道结构，并且形成各包括多层衬底的第二区域内的主半导体层的一部分的第二多个晶体管沟道结构。通过这种方法制造的半导体结构可以包括具有不同应变状态的晶体管沟道结构。

主权项

一种制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：提供多层衬底，该多层衬底包括：基底衬底；埋置氧化物层，该埋置氧化物层在所述基底衬底的表面上方；应变主半导体层，该应变主半导体层在所述埋置氧化物层上方、所述埋置氧化物层的与所述基底衬底相反的一侧上；以及外延基层，该外延基层在所述应变半导体层上方、所述应变半导体层的与所述埋置氧化物层相反的一侧上；在不将元素从所述外延基层扩散到位于所述多层衬底的第二区域内的所述应变主半导体层中的情况下，将元素从所述外延基层扩散到位于所述多层衬底的第一区域内的所述应变主半导体层中，并且增大在所述第一区域内的所述主半导体层中的所扩散的元素的浓度，使得所述第一区域内的所述主半导体层中的应变状态不同于所述第二区域内的所述主半导体层中的应变状态；以及形成第一多个晶体管沟道结构和第二多个晶体管沟道结构，第一多个晶体管沟道结构分别包括位于所述多层衬底的所述第一区域内的所述主半导体层的一部分，并且第二多个晶体管沟道结构分别包括位于所述多层衬底的所述第二区域内的所述主半导体层的一部分。