[发明专利]电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510765524.4 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742358B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李珉贤;申铉振;李载昊;金海龙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极间隔开；二维(2D)材料层，连接到所述第一电极和所述第二电极，所述2D材料层包括多个2D纳米材料，所述2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。
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