[发明专利]使用自组装图案形成存储电容器结构的方法有效
申请号: | 201510766189.X | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105609403B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 姜浩英 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/64 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种使用自组装图案形成存储电容器结构的方法。本发明描述了电容器结构及在衬底上形成所述电容器结构的方法。所述电容器结构包括具有形成在绝缘保持材料内的多个电容器电极的衬底,以及与所述多个电容器电极接触的项圈层结构,其中所述项圈层结构与多个电容器电极互连并且穿过具有无引导、随机自组装图案的开口使下面的绝缘保持材料露出。此外,可以将绝缘保持材料从电容器结构中去除。所述方法包括使用自组装工艺来形成互连的项圈层结构。 | ||
搜索关键词: | 使用 组装 图案 形成 存储 电容器 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种形成电容器结构的方法,包括:提供具有形成在绝缘保持材料内的多个电容器电极的衬底,所述衬底还包括与所述多个电容器电极接触的项圈层;在所述项圈层上制备自组装聚合物层,所述自组装聚合物层具有与第二域呈相分离的第一域;选择性地去除所述自组装聚合物层的所述第一域,同时保留所述自组装聚合物层的所述第二域,以在所述衬底上形成无引导、随机的自组装图案;以及将所述无引导、随机的自组装图案转移至所述项圈层中并且贯穿所述项圈层,以生成与所述多个电容器电极互连的项圈层结构,所述项圈层结构具有穿过所述项圈层结构的使下面的绝缘保持材料露出的开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510766189.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造