[发明专利]太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201510768850.0 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN105261659A | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 杨美佳;毕京锋;李森林;刘冠洲;李明阳;熊伟平;陈文浚;吴超瑜;王笃祥 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法,其中所述太阳能电池,包括:基板、设置在该基板上的键合金属层、欧姆接触金属层、应力阻隔层、设置在该应力阻隔层上的太阳能电池半导体层和设置在所述太阳能电池半导体层上表面的欧姆电极。所述应力阻隔层设置于太阳能电池半导体层和欧姆接触金属层之间,可有效阻隔欧姆接触金属层及键合金属层对太阳能电池半导体层的热应力,避免热应力使太阳能电池半导体层晶体质量变差、甚至带隙发生偏移。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
太阳能电池,自下而上依次包括:基板、键合金属层、欧姆接触电极层、应力阻隔层、太阳能电池半导体层和欧姆电极,其特征在于:所述应力阻隔层设置在所述太阳能电池半导体层与欧姆接触电极层之间,防止因欧姆接触电极层及键合金属层与半导体层之间热膨胀系数的差异产生的热应力使半导体层的晶体质量变差。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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