[发明专利]薄膜倒装LED芯片及其制备方法以及白光LED芯片

摘要

本发明提供了一种薄膜倒装LED芯片及其制备方法以及白光LED芯片，该制备方法包括：生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和金属反射层；蚀刻出N电极孔和第一槽沟；钝化；在N电极孔内沉积金属，将N电极孔内的金属连接起来形成N电极；在金属反射层上形成P电极，形成倒装晶片结构；在导电基板上形成通孔，生长绝缘层；在导电基板中的通孔内镀上导电金属；在导电基板的上镀上邦定金属层；在导电基板上镀上背金金属层；将导电基板与倒装晶片结构邦定，并去除生长衬底和缓冲层；切割形成单个LED芯片。其采用衬底转移技术，避免了由于生长衬底不透光导致影响LED倒装芯片的出光问题，生产效率高、成本低。

主权项

一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和金属反射层形成第一结构；对所述第一结构进行蚀刻直至暴露出N型GaN层形成多个均匀分布的第一沟槽；且在每两个第一沟槽中蚀刻出多个N电极孔，形成第二结构；分别对所述N电极孔的侧壁和所述第一沟槽进行钝化、对所述第二结构中每两个N电极孔之间的金属反射层进行钝化以及对第一沟槽和N电极孔之间的金属反射层除预留的第一位置进行钝化形成钝化层，实现对第二结构的钝化；在进行了钝化之后的N电极孔内沉积金属形成N电极金属层，并将相邻两个所述第一沟槽之间的N电极孔内的金属连接起来形成N电极；在金属反射层上的所述第一位置上形成P电极，且相邻的N电极和P电极之间预留第二位置，形成倒装晶片结构；在导电基板上形成与每个所述P电极和每个所述N电极的中心位置对应的通孔，且在所述导电基板的上表面、下表面以及所述通孔的侧壁上生长绝缘层；在所述导电基板中的所述通孔内镀上导电金属直至将通孔填满；在所述导电基板的上表面镀上分别与所述倒装晶片结构中的所述P电极和所述N电极对应的邦定金属层，形成第二沟槽；在所述导电基板的下表面镀上与所述倒装晶片结构中的所述P电极和所述N电极对应的背金金属层，形成第三沟槽；在所述第二沟槽内填充满隔离层，且所述隔离层比所述邦定金属层厚；将所述导电基板的下表面对准所述倒装晶片结构中的P电极和N电极进行邦定，并去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GaN层形成LED晶片；沿着第一沟槽对所述LED晶片结构进行切割，形成单个LED芯片。