[发明专利]一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法在审

专利信息
申请号: 201510771261.8 申请日: 2015-11-12
公开(公告)号: CN105418077A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 卢振;黄臻瀚;蒋少松;王重阳 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/64;C04B35/10;B28B3/26
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法,涉及一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法。本发明是为了解决在陶瓷材料上获得密闭的三维微细通道困难的技术问题。本发明:一、制备纳米陶瓷坯体结构;二、纳米陶瓷坯体结构表面抛光;三、纳米陶瓷坯体结构烘干处理;四、蚀刻制作掩模板;五、喷涂;六、真空塑封;七、冷等静压;八、脱脂处理;九、烧结强化。本发明提出了微细通道形状及精度的控制方法,解决了传统陶瓷微细通道难加工的问题,本发明制备的三维微细通道的宽度可以达到500微米~100纳米。本发明应用于在纳米陶瓷内部加工三维微细通道。
搜索关键词: 一种 纳米 陶瓷 内部 三维 微细 通道 加工 方法
【主权项】:
一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法,其特征在于纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法是按以下步骤进行的:一、制备纳米陶瓷坯体结构:采用金属钢制模具将纳米陶瓷粉末通过液压机在压力为100MPa~150MPa的条件下保压5s~10s,顶出脱模,得到纳米陶瓷坯体结构;二、纳米陶瓷坯体结构表面抛光:将步骤一得到的纳米陶瓷坯体结构在抛光机转速为30转/分钟~80转/分钟和抛光介质为绒布的条件下抛光30min,然后置于数控雕刻机上进行三维加工,得到微细通道三维结构坯体;三、纳米陶瓷坯体结构烘干处理:将步骤二得到的微细通道三维结构坯体放置在马弗炉中,在温度为40℃~80℃的条件下保温5h~10h,得到脱水的纳米陶瓷坯体I;四、蚀刻制作掩模板:通过蚀刻技术将硅片制备成掩模板,使得掩模板上布置微细通道;五、喷涂:将步骤四制备的掩模板覆盖于步骤三制备的脱水的纳米陶瓷坯体I的抛光面上,然后通过喷涂机在脱水的纳米陶瓷坯体I的抛光面上覆盖的掩模板面上喷涂有机微米线或有机纳米线,得到喷涂有机微米线或有机纳米线的喷涂面;六、真空塑封:重复步骤一至三制备一个脱水的纳米陶瓷坯体II,将脱水的纳米陶瓷坯体II覆盖在步骤五得到的喷涂有机微米线或有机纳米线的喷涂面上,然后放置于塑料密封袋内,在真空塑封机内进行真空塑封,得到塑封后的坯体;七、冷等静压:将步骤六得到的塑封后的坯体置于冷等静压机内,在压力为150MPa~300MPa的条件下压制3mim~5min;八、脱脂处理:将步骤七冷等静压后的坯体放置在马弗炉中,以0.5℃/min~1.5℃/min的升温速率从室温升温至300℃,然后以1.5℃/min~3℃/min的升温速率从300℃升温至550℃,然后以3℃/min~5℃/min的升温速率从550℃升温至900℃,然后在温度为900℃的条件下保温1h~2h,得到脱脂后的胚体;九、烧结强化:将步骤八得到的脱脂后的胚体放置在高温烧结炉中进行真空烧结或保护气氛烧结,得到致密的纳米陶瓷微细通道制品;所述的真空烧结温度为1400℃~1600℃,真空烧结时间为2h~3h;所述的保护气氛烧结温度为1400℃~1600℃,保护气氛烧结时间为2h~3h。
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