[发明专利]一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法。该电池从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N⁺掺杂层、背电极层；所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层；N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。该方法利用光刻等微加工工艺制备周期性有序倒置四棱台结构盲孔矩阵阵列；利用磁控溅射方法制备导电减反射层；丝网印刷技术制备日型前电极；这种电极的受光面是周期性有序的倒置四棱台结构的盲孔阵列，这种特殊阵列能够使得该电池吸收90﹪以上的可见光。

主权项

一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池，其特征在于从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N⁺掺杂层、背电极层；所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层；N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。