[发明专利]一种二硒化钴/碳纳米材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201510777661.X | 申请日： | 2015-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105428647B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱明强;喻能 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/1397;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硒化钴/碳纳米材料，包括基底、厚度为1μm～2μm的CoSe2层以及厚度为1nm～10nm的无定形碳层，所述CoSe2层生长于所述基底表面，呈现三维片状结构，所述无定形碳层附着于所述CoSe2层表面，且所述CoSe2层与所述无定形碳层的质量比为901～18001，所述基底为钛片或钛丝。本发明通过将无定形碳层附着于CoSe2材料表面，从而提高了纳米材料的循环稳定性，从而进一步使制备获得的锂离子电池，既具有高导电率、高容量的优点，又具有更好的循环稳定性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硒化钴 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种二硒化钴/碳纳米材料，其特征在于，包括基底、厚度为1μm～2μm的CoSe2层以及厚度为1nm～10nm的无定形碳层，所述CoSe2层生长于所述基底表面，呈现三维片状结构，所述无定形碳层附着于所述CoSe2层表面，且所述CoSe2层与所述无定形碳层的质量比为90:1～1800:1，所述基底为钛片或钛丝。
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