[发明专利]金属区段作为接着垫及IC装置中的区域互连件有效
| 申请号： | 201510778463.5 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105609466B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | Y·禹;M·李;R·R-H·金;J·桂 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及金属区段作为接着垫及IC装置中的区域互连件，其揭示用于利用额外金属层的金属区段作为用于通孔的接着垫及亦作为在IC装置中的接触件之间的区域互连件的方法以及所得装置。实施例包括形成连接至位于集成电路装置中的基板上的晶体管的源极/漏极接触件及栅极接触件，每一接触件具有具第一面积的上表面；在该等接触件的上表面于一平面上形成金属区段，每一金属区段与一或多个该等接触件接触并具有大于该第一面积的第二面积；及在一或多个该等金属区段与第一金属层的一或多个第一区段之间形成一或多个通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 区段 作为 接着 ic 装置 中的 区域 互连 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包含：形成源极/漏极接触件及栅极接触件，其连接至位于集成电路装置中的基板上的晶体管，每一接触件具有具第一面积的上表面；在所述接触件的上表面于一平面上形成金属区段，每一金属区段与一或多个所述接触件接触并具有大于该第一面积的第二面积，其中，至少一个所述金属区段接触于一或多个该源极/漏极接触件；在一或多个所述金属区段与第一金属层的一或多个第一区段之间形成一或多个通孔；及基于包括内缘及外缘的工艺变异(PV)带形成所述金属区段，其中，相邻金属区段基于所述相邻金属区段的该工艺变异(PV)带的该外缘之间的临限距离而路由或布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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