[发明专利]微机械硅谐振器的温度补偿结构及制作方法在审

专利信息
申请号: 201510780724.7 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN105245198A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 熊斌;冯端;徐德辉;马颖蕾;陆仲明;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24;H03H3/007
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种微机械硅谐振器的温度补偿结构及其制作方法,包括微机械谐振器结构;设有空腔并用于支撑所述微机械谐振器结构的底层基底以及位于所述微机械谐振器结构与所述底层基底之间的绝缘层;所述微机械谐振器结构包括具有第一温度系数的结构层,所述结构层上具有周期分布的凹槽;填充满所述凹槽的具有第二温度系数的补偿材料;所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。本发明通过在微机械振动谐振器中引入结构材料温度系数相反的另一种材料来对其进行温度补偿,能够有效控制谐振器的温度漂移;采用该温度补偿结构,可以大大提高微机械谐振器的温度稳定性,同时减少外部补偿电路的复杂性。
搜索关键词: 微机 谐振器 温度 补偿 结构 制作方法
【主权项】:
一种微机械谐振器温度补偿结构的制作方法,其特征在于:所述制作方法至少包括如下步骤:提供一具有三层复合结构的基底,其包括底层基底、位于该底层基底上的绝缘层以及位于顶层的具有第一温度系数的结构层,所述结构层上具有周期分布的凹槽;沉积具有第二温度系数的补偿材料层,并覆盖所述结构层以及所述凹槽;对所述补偿材料层进行研磨抛光后去除多余的补偿材料,保留所述凹槽中的补偿材料;刻蚀所述结构层,形成微机械谐振器结构;刻蚀底层基底,在其背部形成空腔结构;自所述空腔结构内刻蚀绝缘层完成对微机械谐振器的释放;所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。
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