[发明专利]无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器及其制备方法

摘要

本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。

主权项

一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，其结构从下至上依次为：衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlInN层；还包括源端电极、与源端电极相连的源端电极PAD，漏端电极、与漏端电极相连的漏端电极PAD，所述源端电极、源端电极PAD、漏端电极与漏端电极PAD分别沉积在AlInN层上，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；其特征在于：还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，源端电极钝化层与漏端电极钝化层之间的区域，所述离子印迹聚合物层含有印迹孔穴。