[发明专利]大阵列高均匀性微透镜阵列制备方法有效
申请号: | 201510783114.2 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105242332A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 黄建;向鹏飞;高建威;李佳;雷仁方 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种大阵列高均匀性微透镜阵列制备方法,该方法中,在微透镜成型之前,预先在晶圆表面和微透镜材料层之间设置了混合物涂层,通过混合物涂层来抑制微透镜材料在熔融状态下的流动性;本发明的有益技术效果是:提供了一种新的微透镜阵列制备方法,采用该方法制作处的微透镜阵列,其上不同位置处的微透镜形貌一致性、聚光效果及均匀性都较好。 | ||
搜索关键词: | 阵列 均匀 透镜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大阵列高均匀性微透镜阵列制备方法,其特征在于:按如下步骤制作:1)对器件的晶圆表面进行清洁;2)在晶圆表面涂覆丙二醇单甲基醚酯、乙氧基乙酸丙酯和丙烯酸树脂的混合物,形成混合物涂层;3)对混合物涂层进行曝光处理,使混合物涂层完全固化;4)在混合物涂层表面涂覆PMMA材料,然后加热使PMMA材料固化形成微透镜材料层;5)采用热蒸发工艺或磁控溅射工艺,在微透镜材料层表面生长掩膜层;6)采用光刻工艺在掩膜层上光刻出光刻胶掩膜图形;7)采用刻蚀工艺将光刻胶掩膜图形转移到掩膜层上;8)采用等离子体干法刻蚀工艺,将掩膜层上的图形转移到微透镜材料层上;9)采用湿法腐蚀工艺,将残留在微透镜材料层表面的掩膜层去掉;10)在N2氛围下,将环境温度加热至PMMA材料的热熔温度;保温一定时间后,自然冷却,微透镜加工完成。
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