[发明专利]一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置及方法

摘要

本发明提供一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置及方法，所述装置包括：溅镀真空室，一侧形成容置腔；孪生对靶，包括金属圆柱靶和铜合金圆柱靶；两灭弧罩，分别可旋转地绕设于金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外周；两气管，分别位于金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外侧；一阳极线性离子源，与金属圆柱靶和铜合金圆柱靶形成三角形排布，金属等离子体、铜合金等离子体及氩气等离子体或氩气与氧气混合等离子体交汇形成一等离子体交汇区；一氧化铝陶瓷基片，架设于等离子体交汇区内；一补偿气体气管。所述方法过渡层及金属层与陶瓷基板附着力强，原料成本及生产成本低，且制备方法保护环境，可有效减少环境污染。

主权项

一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，包括：至少一个溅镀真空室，竖直放置，形状为圆柱形桶体或方形盒体，内设真空泵和加热件，其高度方向一侧内壁向外凸出形成一容置腔；至少一对孪生对靶，每对孪生对靶对应一个溅镀真空室，其包括金属圆柱靶和铜合金圆柱靶，位于所述溅镀真空室内并对称设置于容置腔两侧，所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶互为阴阳极；至少两灭弧罩，形状为圆弧形，弧度与所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外周向配合，分别可旋转地绕设于所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外周；两气管，设置于所述溅镀真空室内，并分别位于所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外侧，形状为管体，表面开设有若干气孔；至少一个阳极线性离子源，形状为方形，设置于所述溅镀真空室容置腔内壁中部，与所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶形成三角形排布，所述金属圆柱靶产生的金属等离子体、铜合金圆柱靶产生的铜合金等离子体及阳极线性离子源产生的氩气等离子体或氩气与氧气混合等离子体在所述溅镀真空室内侧中部交汇形成一等离子体交汇区；一氧化铝陶瓷基片，架设于所述等离子体交汇区内，其相对所述阳极线性离子源一侧可拆卸地设有一挡板；一补偿气体气管，设置于所述溅镀真空室内侧，并位于所述氧化铝陶瓷基片与阳极线性离子源之间，形状为管体，表面开设有若干通气孔。