[发明专利]用于收发器接口过压钳位的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201510786965.2 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN105609541B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: J·A·塞尔瑟多;J·赵;罗娟 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了用于收发器接口过压钳位的装置和方法。在某些配置中,接口器件包括第一p型阱区和n型隔离结构中的第二p型阱区。另外,钳位器件包括第一p型有源区和第一p型阱区中且电连接到钳位器件的第一端子的第一n型有源区。此外,钳位器件包括第二p型有源区和第二p型阱区中且电连接到钳位器件的第二端子的第二n型有源区。n型隔离结构处于半导体基底的p型区中,并且使第一和第二p型阱区与p型基底区电隔离。钳位器件还包括位于第一和第二n型有源区之间的阻塞电压调谐结构。
搜索关键词: 用于 收发 接口 压钳位 装置 方法
【主权项】:
1.一种电子装置,包括:基底的p型区中的n型隔离结构;所述n型隔离结构中的第一p型阱区;所述第一p型阱区中的第一p型有源区和第一n型有源区,其中所述第一n型有源区和所述第一p型有源区电连接到第一端子;所述n型隔离结构中的且从所述第一p型阱区隔开的第二p型阱区,其中所述n型隔离结构使第一p型阱区和第二p型阱区与所述基底的所述p型区电隔离;所述第二p型阱区中的第二p型有源区和第二n型有源区,其中所述第二n型有源区和所述第二p型有源区电连接到第二端子;和位于所述第一n型有源区和第二n型有源区之间的阻塞电压调谐结构。
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