[发明专利]一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法

摘要

本发明涉及了一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法；具体涉及到将Si基片用丙酮、去离子水在超声波清洗器中洗净并干燥后，放入磁控溅射腔，装上纯度大于99.99的金属靶；抽真空至10^-5 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到1Pa左右，采用直流溅射，设定功率为25W,溅射时间5-18s；结束后将样品取出，放入原子层沉积系腔内，沉积20-30nm厚度的ZnO薄膜；完成后取出样品即可获得相关器件原型。通过嵌入金属纳米晶颗粒层，能有效提高该器件的光电探测灵敏度，且能够维持氧化物半导体的抗辐射老化优势，对提高器件性能及延长使用寿命具有重要意义。

主权项

 一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法，其特征在于，包括半导体衬底，金属纳米晶颗粒，覆盖在金属纳米晶颗粒上的氧化物半导体衬薄膜及电极，通过以下方式完成：（1） 在经过标准清洗流程的半导体衬底Si片上采用磁控溅射工艺快速沉积均匀分布的非连续金属纳米晶颗粒；（2）采用原子层沉积方法制备氧化物半导体薄膜进行覆盖；（3）在半导体氧化物薄膜上制备电极，即获到性能明显提高的光电位移传感器件。