[发明专利]积层型半导体封装体的制造装置在审
申请号: | 201510789250.2 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN105609446A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 崔锺鸣;李汉晟;李尙勳 | 申请(专利权)人: | 普罗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国仁川广域市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的积层型半导体封装体的制造装置包含接触式加热器及对接触式加热器进行控制的控制器。接触式加热器通过封装体组装体的第二半导体封装体而对接着剂及封装体连接端子进行加热,所述封装体组装体以在第一半导体封装体与第二半导体封装体之间介置有用以接合其等的接着剂及封装体连接端子的状态结合第一半导体封装体与第二半导体封装体而成。控制器以如下方式对接触式加热器进行控制:在接触式加热器与第二半导体封装体的一面接触的状态下,将接触式加热器的加热温度分别以固定时间保持为使接着剂硬化的硬化温度及使封装体连接端子熔融的焊接温度。因此,可缩短制造时间,提高制造效率。 | ||
搜索关键词: | 积层型 半导体 封装 制造 装置 | ||
【主权项】:
一种积层型半导体封装体的制造装置,所述积层型半导体封装体是第一半导体封装体与第二半导体封装体以通过所述第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的封装体连接端子电连接的方式上下积层而成,所述积层型半导体封装体的制造装置的特征在于包含:接触式加热器,其以能够与所述第二半导体封装体的一面接触的方式设置,以便通过封装体组装体的所述第二半导体封装体而对接着剂及封装体连接端子进行加热,所述封装体组装体是以在所述第一半导体封装体与所述第二半导体封装体之间介置有用以接合所述第一半导体封装体与所述第二半导体封装体的所述接着剂及所述封装体连接端子的状态下,将所述第一半导体封装体与所述第二半导体封装体结合而成;及控制器,其以如下方式对所述接触式加热器进行控制,即,在所述接触式加热器与所述第二半导体封装体的一面接触的状态下,将所述接触式加热器的加热温度分别以固定时间保持为使所述接着剂硬化的硬化温度及使所述封装体连接端子熔融的焊接温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普罗科技有限公司,未经普罗科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510789250.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动旋转固定硅圆片的一体化清洗夹具
- 下一篇:使用银浆料进行结合的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造