[发明专利]衬底刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510792034.3 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106711033B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 朱印伍;吴鑫 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 陈亚英 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种衬底刻蚀方法，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，主刻蚀步骤进一步包括步骤S1和步骤S2，当图形侧壁出现拐角时，结束步骤S1，同时开始步骤S2；过刻蚀步骤进一步包括步骤S3和步骤S4，当拐角的高度达到固定值时，结束步骤S3，同时开始步骤S4；其中，步骤S1和步骤S4所采用的用于冷却衬底的背吹气压小于步骤S2和步骤S3所采用的用于冷却衬底的背吹气压。本发明提供的衬底刻蚀方法，其可以在对衬底图形的高度影响较小的情况下，增大衬底图形的底宽，从而可以获得底宽和高度均满足要求的衬底图形。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
