[发明专利]高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201510794985.4 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105296924A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 曾飞;李起;潘峰;傅肃磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。本发明提供的高c轴取向AlN薄膜制备方法包括如下步骤：将二硫化钼旋涂于柔性衬底上得到二硫化钼覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述二硫化钼覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；所述反应溅射的靶材为铝靶。本发明采用二硫化钼做缓冲层有效地缓解了衬底层与AlN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题，使得本发明制备的AlN薄膜中的应力比较低得到的氮化铝薄膜具有高c轴取向、高压电系数d33和低的表面粗糙度，可应用于柔性电子等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 氮化 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种高c轴取向AlN薄膜的制备方法，包括如下步骤：将二硫化钼旋涂于柔性衬底上得到二硫化钼覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述二硫化钼覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；所述反应溅射的靶材为铝靶。
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