[发明专利]一种Na2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途

摘要

一种Na2In2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途；该Na2In2GeSe6非线性光学晶体不具备有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝108.70°，Z＝4；Na2In2GeSe6可采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；该Na2In2GeSe6非线性光学晶体的生长方法中，晶体具有生长速度较快、成本低、易获得较大尺寸晶体；所得Na2In2GeSe6非线性光学晶体具非线性光学效应大、透光波段宽，硬度大，机械性能好，易加工等优点；该Na2In2GeSe6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

主权项

1.一种Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体，该Na₂In₂GeSe₆非线性光学晶体不具备有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝108.70°，Z＝4；透光范围为0.5～20μm。