[发明专利]形成键合焊盘的方法和键合焊盘在审
| 申请号： | 201510798841.6 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105609423A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | M.霍伊尔;P.舍尔;M.施尼冈斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成键合焊盘的方法和键合焊盘。各种实施例提供形成键合焊盘的方法，其中所述方法包括提供原键合焊盘，并且在原键合焊盘的接触表面处形成下凹结构，其中所述下凹结构包括关于接触表面倾斜的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 键合焊盘 方法 | ||
【主权项】：
一种形成键合焊盘的方法，所述方法包括：提供原键合焊盘；以及在原键合焊盘的接触表面处形成下凹结构，其中所述下凹结构包括关于接触表面倾斜的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
