[发明专利]一种高压晶闸管触发板测试平台有效
申请号: | 201510799671.3 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105470160B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 刘亮;郑常桂;李昊;张洁;王伟明 | 申请(专利权)人: | 中冶南方工程技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾;程殿军 |
地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种在低压供电情况下对晶闸管触发板进行高压单板测试的高压晶闸管触发板测试平台,该测试平台解决了工业企业只能提供低压380V或者220V情况下无法模拟实际工况对晶闸管触发板进行高压测试的问题。所述高压晶闸管触发板测试平台包括升压电路、晶闸管吸收保护电路及主控平台;所述主控平台向所述晶闸管触发板发送晶闸管触发信号,所述晶闸管触发板向所述主控平台反馈所述晶闸管触发板的供电状态信号;所述主控平台通过所述供电状态信号和晶闸管电流值判断所述晶闸管触发板是否正常。 | ||
搜索关键词: | 晶闸管触发板 测试平台 主控平台 高压晶闸管 触发板 供电状态信号 晶闸管触发信号 吸收保护电路 晶闸管电流 单板测试 低压供电 高压测试 升压电路 实际工况 晶闸管 工业企业 发送 反馈 | ||
【主权项】:
一种高压晶闸管触发板测试平台(100),其用于对晶闸管触发板(101)进行高压测试;其特征在于,包括:一升压电路(10),其包括调压器(11)、升压变压器(12)及续流电阻(13);所述调压器(11)的输入端与市电相连接;所述升压变压器(12)的初级侧并联连接到调压器(11)的输出端,其次级侧串联后与续流电阻(13)并联;一晶闸管吸收保护电路(20),其包括吸收缓冲电路(21)、反并联晶闸管(22)及限流电抗器(23);所述吸收缓冲电路(21)、所述反并联晶闸管(22)及所述限流电抗器(23)依次串联后连接在所述续流电阻(13)的两端;所述反并联晶闸管(22)的两端与所述晶闸管触发板(101)连接;一主控平台(30),其包括电压互感器(31)、电流互感器(32)、采样板(33)、主控板(34)、上位机(35)及接口板(36);所述电压互感器(31)与所述调压器(11)的输入端连接;所述电流互感器(32)串联在所述晶闸管吸收保护电路(20)中;所述采样板(33)与所述电压互感器(31)和所述电流互感器(32)相连接;所述主控板(34)与所述采样板(33)、所述上位机(35)及所述接口板(36)相连接;所述接口板(36)与所述晶闸管触发板(101)相连接;所述主控平台(30)通过所述接口板(36)向所述晶闸管触发板(101)发送晶闸管触发信号,所述晶闸管触发板(101)向所述主控平台(30)反馈所述晶闸管触发板(101)的供电状态信号;所述主控平台(30)通过所述供电状态信号和所述电流互感器(32)采集的晶闸管电流值判断所述晶闸管触发板(101)是否正常。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中冶南方工程技术有限公司,未经中冶南方工程技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510799671.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于混凝土中管道预留孔的预留装置
- 下一篇:一种复合钢架轻质保温板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造