[发明专利]互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法有效
| 申请号： | 201510801245.9 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106098665B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁世纬;苏柏荣;黄章斌;邱建嘉;杜贤明;林俊宏;赖昱嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了互连结构、封装的半导体器件和半导体器件的封装方法。在一些实施例中，互连结构包括第一后钝化互连(PPI)层。第一PPI层包括接合焊盘和靠近接合焊盘的阴影焊盘材料。聚合物层位于第一PPI层上方，并且第二PPI层位于聚合物层上方。第二PPI层包括PPI焊盘。PPI焊盘通过聚合物层中的通孔耦合至接合焊盘。阴影焊盘材料靠近PPI焊盘并且包括比PPI焊盘的尺寸更大的尺寸。阴影焊盘材料设置为横向围绕PPI焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 封装 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：第一后钝化互连(PPI)层，包括接合焊盘和靠近所述接合焊盘设置的阴影焊盘材料；聚合物层，设置在所述第一后钝化互连层上方；以及第二后钝化互连层，设置在所述聚合物层上方，所述第二后钝化互连层包括后钝化互连焊盘，其中，所述后钝化互连焊盘通过所述聚合物层中的通孔耦合至所述接合焊盘，所述阴影焊盘材料设置为靠近所述后钝化互连焊盘并且包括比所述后钝化互连焊盘的尺寸更大的尺寸，并且所述阴影焊盘材料设置为横向围绕所述后钝化互连焊盘，所述接合焊盘耦合至第一后钝化互连线，并且所述阴影焊盘材料设置为靠近所述第一后钝化互连线的一部分，并且所述第一后钝化互连层还包括耦合至所述阴影焊盘材料的第二后钝化互连线。
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