[发明专利]一种内嵌式纳米森林结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510808468.8 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105384145A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 毛海央 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 洪余节;周放 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内嵌式纳米森林结构及其制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成具有开口的刻蚀阻挡层；在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构；进行各向异性刻蚀，在所述衬底的开口处形成内嵌式纳米森林结构；去除所述纳米掩模结构及所述刻蚀阻挡层。由于内嵌式纳米森林结构的顶部可以与另一衬底的平整表面无缝贴合，且所述纳米掩模结构能完全覆盖所述开口区域，进行各向异性刻蚀后形成的内嵌式纳米森林结构的边缘部分不会存在空缺，避免DNA分子从纳米森林结构与微流道的间隙流过。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内嵌式 纳米 森林 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种内嵌式纳米森林结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底之上形成具有开口的刻蚀阻挡层；在所述衬底表面之上形成纳米掩模结构；进行各向异性刻蚀，在所述衬底的开口处形成内嵌式纳米森林结构；去除所述纳米掩模结构及所述刻蚀阻挡层。
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