[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510809494.2 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106298885B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李暐凡;刘致为;王锦焜;范彧达;黄智雄;林子尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板；一介面层，形成在该基板上；一金属氧化物层，设置在该介面层上，其中该介面层是由该金属氧化物层的一底部分和一氧化物层自发反应形成，且其中用以形成该金属氧化物层的标准自由能小于用以形成该氧化物层的标准自由能；以及一栅极结构，形成在该金属氧化物层上，其中，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。
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