[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装在审
| 申请号： | 201510809687.8 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105633046A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 柳承官;沈锺辅;安殷彻;赵泰济 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装。半导体装置可以包括半导体基底、在半导体基底上的导电垫、覆在半导体基底上并暴露导电垫的钝化层以及凸点结构。凸点结构可以包括导电垫上的第一凸点结构和钝化层上的第二凸点结构。第一凸点结构可以包括顺序地堆叠在导电垫上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层。第二凸点结构可以包括顺序地堆叠在钝化层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基底；导电垫，在半导体基底上；钝化层，在半导体基底上，钝化层包括暴露导电垫的开口；第一凸点下金属层，在暴露的导电垫上；第二凸点下金属层，在钝化层上；第一凸点结构，在第一凸点下金属层上，第一凸点结构包括顺序地堆叠在第一凸点下金属层上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层；以及第二凸点结构，在第二凸点下金属层上，第二凸点结构包括顺序地堆叠在第二凸点下金属层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。
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