[发明专利]光源掩模协同优化方法

摘要

本发明提供了一种光源掩模协同优化方法，包括：输入初始参数；选择部分输入版图参与优化；进行光源掩模协同优化，得到满足光刻工艺条件的优化光源；调整掩模可制造性规则，重新进行版图优化；根据能否满足工艺条件，确定成本最低的掩模可制造性规则；根据确定的可制造性规则，对所有的输入版图进行版图优化；获得最终的优化版图。该方法在进行光源掩模协同优化过程中，可以对掩模可制造性进行规则优化，使得优化后的掩模版制造成本以及缺陷数量降低，还减少了参与协同优化的掩模版图图形数量，提高了优化效率。

主权项

一种光源掩模协同优化方法，包括：输入步骤：输入初始参数，所述初始参数包括第一光刻工艺条件、掩模版图信息以及优化参数(S01)；选择步骤：根据输入的版图信息，选择部分掩模版图参与后续优化(S02)；协同优化步骤：对所选择的掩模版图进行光源掩模协同优化(S03)；第一光刻仿真评估步骤：对优化后的光源、掩模版图进行第一光刻仿真评估，若光刻成像质量满足所述第一光刻工艺条件，则光源掩模协同优化完成，若不满足所述第一光刻工艺条件，则执行后续步骤(S04)；调整步骤：根据所述第一光刻仿真评估的结果，调整所述第一光刻工艺条件和所述优化参数(S05)；以及重复执行所述协同优化步骤、所述第一光刻仿真评估步骤和所述调整步骤，直至所述第一光刻仿真评估的结果满足所述第一光刻工艺条件。