[发明专利]用于闪存单元的纳米硅尖薄膜

摘要

本发明提供了用于闪存单元的诸如纳米硅尖(SiNT)薄膜的量子纳米尖(QNT)以增大擦除速度。QNT薄膜包括第一介电层和布置在第一介电层上方的第二介电层。此外，QNT薄膜包括布置在第一介电层上方并且延伸至第二介电层内的QNT。QNT高宽比大于50％。本发明还提供了QNT基的闪存单元和一种用于制造SiNT基的闪存单元的方法。

主权项

1.一种闪存单元，包括：半导体衬底；以及量子纳米尖薄膜，被配置为捕获对应于单元数据的电荷，其中，所述薄膜包括：第一介电层，布置在所述半导体衬底上方；第二介电层，布置在所述第一介电层上方；以及量子纳米尖，布置在所述第一介电层上方并且延伸至所述第二介电层内，其中，所述量子纳米尖终止在所述第二介电层内的点，一对源极/漏极区，嵌入在所述半导体衬底的顶面中；控制栅极，布置在所述薄膜上方并且位于所述一对源极/漏极区之间；以及选择栅极，横向地间隔在所述控制栅极和所述一对源极/漏极区中的一个区之间，其中，所述控制栅极包括在选择栅极的上方延伸的悬置部分，所述薄膜还在所述控制栅极和所述选择栅极相邻的表面之间延伸至所述控制栅极的悬置部分的远边，并且所述薄膜的边缘与所述控制栅极的边缘对齐。