[发明专利]相变自旋非易失存储单元有效
| 申请号： | 201510813449.4 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105355784B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 施路平;李黄龙;张子阳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 任伟 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变自旋非易失存储单元，其包括磁固定层、间隔层、磁自由层、第一电极以及第二电极，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述第一电极设置在所述磁固定层上，所述第二电极设置在所述磁自由层上，其中，所述间隔层的材料为相变材料。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 自旋 非易失 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种相变自旋非易失存储单元，其特征在于，该相变自旋非易失存储单元包括磁固定层、间隔层、磁自由层，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，其中，所述间隔层的材料为相变材料，所述相变材料为晶态相变材料或非晶态相变材料，所述相变自旋非易失存储单元通过所述相变材料在不同相变状态之间的变换实现存储单元类型的切换。
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