[发明专利]一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池

摘要

本发明涉及一种陷光结构和其制作方法以及应用该结构的薄膜太阳能电池，该陷光结构包括二维直角四棱锥形陷光硅层(4)，所述二维直角四棱锥形陷光硅层(4)由微纳周期性且非完全对称的二维直角四棱锥阵列构成，其中单个周期的二维直角四棱锥的形状是：底面为正方形，一条棱边垂直于底面，与该棱边相邻的两个侧面均垂直于底面，另外两侧面倾斜于所述底面。本发明公开的陷光结构是具有较强的耦合特性，拥有宽光谱吸收增强、角度敏感性好的特点，吸收增强效果比传统倒金字塔等结构的效果更佳。

主权项

一种陷光结构，其特征在于：包括二维直角四棱锥形陷光硅层(4)，所述二维直角四棱锥形陷光硅层(4)由微纳周期性且非完全对称的二维直角四棱锥阵列构成，其中单个周期的二维直角四棱锥的形状是：底面为正方形，一条棱边垂直于底面，与该棱边相邻的两个侧面均垂直于底面，另外两侧面倾斜于所述底面。