[发明专利]一种荧光材料及其制造方法在审
申请号: | 201510815259.6 | 申请日: | 2015-11-20 |
公开(公告)号: | CN105542770A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 解文杰 | 申请(专利权)人: | 安徽建筑大学 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79 |
代理公司: | 宿迁市永泰睿博知识产权代理事务所(普通合伙) 32264 | 代理人: | 陈臣 |
地址: | 230601 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种荧光材料及其制造方法,所述荧光材料由采用固相焙烧工艺制造的化学通式为Mg1-xLu1-ySi2O5N:yCe3+,xMn2+表示的组份组成,其中Mg1-xLu1-ySi2O5N为基质,Ce3+、Mn2+为在基质中共掺杂的发光离子;表示组份比的x、y分别为0<x<0.3、0<y<0.04,所述荧光材料具有320nm和355nm两个激发峰,其峰半宽度290nm~370nm,覆盖近紫外LED芯片的365nm发射峰。所述荧光材料具有602nm、673nm双发射峰,改变掺杂离子Mn2+的配比,可以调节发射峰的发射强度,演色性好,采用焙烧工艺,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 荧光 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种荧光材料,其特征在于:所述荧光材料由采用固相焙烧工艺制造的化学通式为Mg1‑xLu1‑ySi2O5N:yCe3+,xMn2+表示的组份组成,其中Mg1‑xLu1‑ySi2O5N为所述荧光材料的基质,Ce3+、Mn2+为在基质Mg1‑xLu1‑ySi2O5N中共掺杂的发光离子;表示Mn2+、Ce3+组份比的x、y分别为0<x<0.3、0<y<0.04,所述荧光材料具有两个激发峰,所述两个激发峰处于其激发光谱的320nm和355nm位置处。
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