[发明专利]纵型霍尔元件有效

专利信息
申请号: 201510818916.2 申请日: 2015-11-23
公开(公告)号: CN105633274B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 铃木聪之;海老原美香;飞冈孝明 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;G01R33/07
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供纵型霍尔元件,其为不会增大芯片面积的高灵敏度的纵型霍尔元件。在纵型霍尔元件中,在电压输出端与第1电流供给端之间设置有内部被绝缘膜填充的沟槽。由此,能够抑制朝电压输出端的电流流入,从而增加垂直的电流分量的比例,其结果是能够提高灵敏度。
搜索关键词: 霍尔 元件
【主权项】:
一种纵型霍尔元件,其特征在于,具有:半导体衬底;N型的半导体层,其设置在所述半导体衬底上;N型的埋入层,其设置在所述半导体层的底部;第1电流供给端,其设置在所述埋入层的上方;一组第2电流供给端,它们以所述第1电流供给端为中心,对称配置在所述第1电流供给端的两侧,并从所述半导体层的表面向内部设置;一组电压输出端,它们以与连结所述一组第2电流供给端的直线垂直的方式,以所述第1电流供给端为中心,对称配置在所述第1电流供给端的两侧,并从所述半导体层的表面向内部设置;以及沟槽,其分别设置于所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的一方之间、以及所述第1电流供给端与所述一组电压输出端中的另一方之间的所述半导体层,所述沟槽的内部被绝缘膜填充。
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