[发明专利]磷酸钴超小纳米盘，超薄纳米片，超细纳米线制备方法

摘要

本发明公开了一种利用两相界面法制备磷酸钴超小纳米盘，超薄纳米片，超细纳米线制备方法。通过调控反应时间控制由磷酸钴超小纳米盘组装成超薄纳米片再向超细纳米线的转换。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本低廉、环境友好，整个反应过程不需要特殊设备，利于工业化生产，最终得到比电容在电流密度为2 A/g时可达到1174 F/g的具有优良赝电容器性能的超细纳米线纳米材料。本发明制备的材料是一种具有广泛商业化应用前景的理想超级电容器材料。

主权项

磷酸钴超小纳米盘，超薄纳米片，超细纳米线制备方法，其特征在于：操作时首先称取一定量的碱金属磷酸盐，溶解于去离子水中，形成0.01mol/L至0.54mol/L水溶液，再称取一定量硝酸钴，加入有机溶液，形成0.01‑1mol/L硝酸钴有机溶液，然后将两溶液混合并以0.1^oC/min至20^oC/min的速度升温至80‑300^oC保温，控制保温时间0‑5小时可得到磷酸钴超小纳米盘，控制保温时间5‑12小时可得到磷酸钴超薄纳米片，控制保温时间12‑144小时可得到磷酸钴超细纳米线，收集磷酸钴超小纳米盘的方法是：将丙酮加入产物混合溶液中，转移至离心管离心，得到沉淀产物，继续用丙酮洗涤3‑5次，最后在0^oC至100^oC下干燥一定时间，收集磷酸钴超薄纳米片与超细纳米线的方法是，将环己烷加入产物混合溶液中，转移至离心管中离心，离心之后离心管中物质会分3层，取中间层兰紫色物质，用环己烷再洗涤3‑5次，最后在0^oC至100^oC干燥一定时间。