[发明专利]能降低米勒电容的超结IGBT器件有效
| 申请号： | 201510819602.4 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105355656B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张须坤;张广银;卢烁今;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种能降低米勒电容的超结IGBT器件，其包括半导体基板，半导体基板的漂移区内设置第一导电类型柱以及第二导电类型柱；在第二导电类型柱内的上部设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型源区，第一导电类型源区、第二导电类型基区与半导体基板上的发射极金属欧姆接触，在第二导电类型基区内用于形成导电沟道区域的上方覆盖有多晶硅栅极，多晶硅栅极通过覆盖在第二导电类型基区、第一导电类型柱上的绝缘层与第一导电类型源区、第二导电类型基区绝缘隔离，在绝缘层上覆盖有浮空栅极，所述浮空栅极通过绝缘层与多晶硅栅极绝缘隔离。本发明能有效减少米勒电容，并能屏蔽寄生电容，提高超结器件的高频特性，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 米勒 电容 igbt 器件 | ||
【主权项】：
1.一种能降低米勒电容的超结IGBT 器件，包括具有第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板的漂移区内设置若干呈交错分布的第一导电类型柱以及第二导电类型柱；其特征是：在所述第二导电类型柱内的上部设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区内设有第一导电类型源区，第一导电类型源区、第二导电类型基区与半导体基板上的发射极金属（1）欧姆接触，在第二导电类型基区内用于形成导电沟道区域的上方覆盖有多晶硅栅极（5），所述多晶硅栅极（5）通过覆盖在第二导电类型基区、第一导电类型柱上的绝缘层（4）与第一导电类型源区、第二导电类型基区绝缘隔离，在绝缘层（4）上覆盖有浮空栅极（2），所述浮空栅极（2）通过绝缘层（4）与多晶硅栅极（5）绝缘隔离，且浮空栅极（2）上覆盖有介电质层（3），浮空栅极（2）、多晶硅栅极（5）通过介电质层（3）与发射极金属（1）绝缘隔离；多晶硅栅极（5）与上方的发射极金属（1）间具有绝缘层（4）、浮空栅极（2）以及介电质层（3），浮空栅极（2）的长度与 绝缘层（4）的长度相一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司，未经江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510819602.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蚕豆皮中原花青素的提取方法
- 下一篇：一种槽栅双极型晶体管
- 同类专利
- 专利分类
