[发明专利]宇航级VMOS管功能性完好的测试方法在审
| 申请号： | 201510819911.1 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105467290A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谢永权;柳金生 | 申请（专利权）人： | 上海卫星装备研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。本发明可对宇航级VMOS管的极间阻抗进行测试并给出功能性好坏的结论。 | ||
| 搜索关键词： | 宇航 vmos 功能 完好 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试设备采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。
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