[发明专利]发光二极管制作方法有效
| 申请号： | 201510819932.3 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280766B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 林泉;邵小娟;章小飞;朱立钦;林大铨 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管制作方法，包括步骤从绝缘层蚀刻贯穿到N型层、同时部分区域的绝缘层蚀刻到反射层上的保护层，简化现有发光二极管制作的工艺流程，用简单光罩工艺替代现有复杂的制作工艺，缩短发光二极管的制作周期，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管制作方法，包括步骤：S1、提供一衬底，在衬底上依次沉积N型层、发光层、P型层；S2、进行第一次光罩，在P型层上依次生长反射层和保护层，剥离形成图形反射层，露出部分P型层；S3、在露出的部分P型层以及保护层上生长绝缘层；S4、进行第二次光罩，从绝缘层蚀刻贯穿至露出部分N型层，形成N型电极窗口；同时从绝缘层蚀刻贯穿至露出部分保护层，形成P型电极窗口；S5、进行第三次光罩，分别在N型电极窗口和P型电极窗口内制作接触电极。
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