[发明专利]发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种LED外延、芯片结构及其制作方法，其中芯片自下而上依次包括导电基板、p型氮化物层、有源层、n型恢复层、n型氮化物层和n电极，其特征在于所述n型氮化物层具有氮极性的晶体和镓极性的晶体，且所述氮极性和镓极性区域的表面呈现高度差，所述n型恢复层邻近所述n型氮化物层的一侧表面具有与所述n型氮化物层一致的混合极性，远离所述n型氮化物层接触的一侧表面为相连的镓极性表面。

主权项

一种用于垂直芯片的LED外延结构，包括：衬底，具有相对的上、下表面，所述上表面的部分区域被氮化；n型氮化物层，形成于所述衬底的上表面，具有氮极性的晶体和镓极性的晶体，其中所述氮极性的晶体生长于所述衬底被氮化的区域上方，且所述氮极性和镓极性区域的表面呈现高度差；n型恢复层，形成于n型氮化物层上，其上表面为相连的镓极性表面；有源层，形成于所述n型恢复层上；p型层，形成于所述有源层上。