[发明专利]一种酸洗后二极管的清洗工艺

摘要

本发明涉及一种酸洗后二极管的清洗工艺，依次包括超声波清洗、超声波精洗、超声波漂洗、无水乙醇清洗、无水乙醇漂洗、超声波一次脱水和超声波二次脱水七个步骤。本发明的优点在于：本发明酸洗后二极管的清洗工艺，采用三道高纯水超声波清洗，再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用两道超声波脱水，使产品高温性能大幅度提高；且对纯水和乙醇加热，易于溶解芯片表面的污染物，同时整个工艺流程采用特定设备，能最大限度降低环境对电子器件造成污染。

主权项

一种酸洗后二极管的清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：（1）超声波清洗：将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的纯水进行超声波清洗100～150s；（2）超声波精洗：将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的纯水进行超声波精洗100～150s；（3）超声波漂洗：将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的纯水进行超声波漂洗100～150s；（4）无水乙醇清洗：将经上述超声波漂洗的二极管放入到无水乙醇清洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在30～40KHZ范围内，流速度控制在16～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的无水乙醇进行清洗60～120s；（5）无水乙醇漂洗：将经上述无水乙醇清洗的二极管放入到无水乙醇漂洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在30～40KHZ范围内，流速度控制在16～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的无水乙醇进行漂洗60～120s；（6）超声波一次脱水：将经上述无水乙醇漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的异丙醇进行超声波一次脱水100～150s；（7）超声波二次脱水：将经超声波一次脱水的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在1500～2000W范围内，频率控制在30～36KHZ范围内，水流速度控制在15～18L/min范围内，采用电阻大于12Ω^.m，且温度在20～40℃范围内的异丙醇进行超声波二次脱水100～150s。