[发明专利]硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201510821437.6 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105428416A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李平;王刚;张庆伟;陈远富 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34;H01L29/423;H01L21/44 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法，涉及半导体器件技术。本发明的晶体管包括衬底、栅电极、栅介质、源电极和漏电极，其特征在于，衬底上设置有隔离氧化硅层，隔离氧化硅层上设置有氧化硅槽，在氧化硅槽内设置有栅电极和栅介质，基底表面上设置有石墨烯/黑磷层，在石墨烯/黑磷层上方设置有源电极和漏电极。本发明的优势在于，一是易于控制，工艺重复性好，且与传统半导体硅工艺兼容，二是轻易获得良好的栅介质质量，三是容易实现较窄沟槽的填充，四是具有大规模集成的应用潜力，五是最大程度的保证石墨烯/黑磷薄膜的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 黑磷 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
硅栅石墨烯/黑磷晶体管，包括衬底、栅电极、栅介质、源电极和漏电极，其特征在于，衬底上设置有隔离氧化硅层，隔离氧化硅层上设置有氧化硅槽，在氧化硅槽内设置有栅电极和栅介质，隔离氧化硅层和氧化硅槽上设置有石墨烯/黑磷层，在石墨烯/黑磷层上方设置有源电极和漏电极。
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