[发明专利]一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器有效
| 申请号： | 201510821595.1 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105429002B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 仇伯仓;胡海 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器，包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层；有源层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、第一量子阱层、第二量子阱层以及第二波导层；其中，第一量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长对应于外延结构所需的输出波长，第二量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长小于该输出波长。本发明通过第二量子阱层对逃逸的载流子间接回收利用，提高了器件的内量子效率，降低了器件的阈值电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 半导体 激光 外延 结构 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种量子阱半导体激光外延结构，其特征在于，所述量子阱半导体激光外延结构包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与所述有源层堆叠排列的第一包层和第二包层；所述有源层包括沿所述有源层与所述第一包层和所述第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、第一量子阱层、第二量子阱层以及第二波导层；其中，所述第一量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长对应于所述外延结构所需的输出波长，所述第二量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长小于所述输出波长；其中，所述第二量子阱层用于吸收所述第一量子阱层中泄露出来的载流子，所述载流子在所述第二量子阱层复合，并发射出被所述第一量子阱层所吸收的光子，进而重新产生可用的载流子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院，未经深圳瑞波光电子有限公司;深圳清华大学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510821595.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自动转向型避雷针
- 下一篇：一种端面泵浦拉丝模打孔激光器的设计方法
