[发明专利]一种用于检测痕量桔霉素的分子印迹压电传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510822178.9 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105334252A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 方国臻;刘桂洋;王俊平;王硕 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N30/02 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 李明卓 |
| 地址： | 300457 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于检测痕量桔霉素的分子印迹压电传感器及其制备方法，传感器电极表面的复合薄膜为金纳米颗粒@介孔碳CMK-3复合物与分子印迹聚合物，金纳米颗粒@介孔碳CMK-3复合物膜具有大的比表面积和三维有序介孔结构，分子印迹聚合物能提供与桔霉素分子相对应的分子印迹孔穴。制备时，将金纳米颗粒@介孔碳CMK-3复合材料覆于石英晶体金电极表面，将其置于含有假模板、功能单体的电解质溶液中进行电化学聚合反应，反应完成后去除假模板得到的分子印迹压电传感器可以对桔霉素进行检测。本发明方法简单，成本低廉，具有良好的选择性、重复性和抗干扰能力，并成功应用于实际样品中桔霉素的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 痕量 霉素 分子 印迹 压电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于检测痕量桔霉素的分子印迹压电传感器，所述传感器为石英晶体金电极，其特征在于，英晶体金电极表面包裹复合薄膜，所述复合薄膜由金纳米颗粒@介孔碳CMK‑3复合物和分子印迹聚合物组成。
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