[发明专利]一种仿生结构立方氮化硼涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510822743.1 申请日: 2015-11-24
公开(公告)号: CN106756781B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 唐永炳;蒋春磊 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于真空镀膜技术领域,提供了一种仿生结构立方氮化硼涂层及其制备方法。所述仿生结构立方氮化硼涂层涂覆在基底上,所述仿生结构立方氮化硼涂层由底部的韧性层和顶部的高硬层构成,所述高硬层为立方氮化硼层,所述韧性层为M2层与M1Bx:M2掺杂复合层交替沉积形成的多层复合结构,且所述M1Bx:M2掺杂复合层为M2掺杂M1Bx形成的复合层,其中,所述M1、M2为相同或不同的过渡金属,所述x的取值范围为:0.5≤x≤4。
搜索关键词: 立方氮化硼 仿生结构 复合层 掺杂 高硬层 韧性层 制备 多层复合结构 立方氮化硼层 真空镀膜技术 过渡金属 交替沉积 基底 涂覆
【主权项】:
1.一种仿生结构立方氮化硼涂层,所述仿生结构立方氮化硼涂层涂覆在基底上,其特征在于,所述仿生结构立方氮化硼涂层由底部的韧性层和顶部的高硬层构成,所述高硬层为立方氮化硼层,所述韧性层为M2层与M1Bx:M2掺杂复合层交替沉积形成的多层复合结构,且所述M1Bx:M2掺杂复合层为M2掺杂M1Bx形成的复合层,其中,所述M1、M2为相同或不同的过渡金属,所述x的取值范围为:0.5≤x≤4。
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