[发明专利]一种半导体陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201510826844.6 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105384432A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赖清甜 | 申请（专利权）人： | 赖清甜 |
| 主分类号： | C04B35/19 | 分类号： | C04B35/19;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 袁周珠 |
| 地址： | 511540 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体陶瓷及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域；其中原料各组分的重量份为钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份，其制备方法为将所有原料粉碎，过100~150目筛后，混合均匀；800~830℃烧制15~20min后，在1000~1010℃烧制10~15min，冷却后，微粉碎，使晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下，即得成品；该半导体陶瓷具有良好的电气特性，晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下，且制备过程中能耗低，成本可控，性价比极高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体陶瓷，其特征在于：原料各组分的重量份为：钾长石80~90份、钠长石40~50份、钛酸钡5~10份、氧化钛5~10份、钛酸铅1~5份、硫化镉1~5份、氧化锌1~5份。
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