[发明专利]整合式被动模组、半导体装置及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510827325.1 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN105633026B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 彭贤斌 申请(专利权)人: 彭贤斌
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/48
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民;徐东升
地址: 中国台湾台南市安平区怡*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 本申请公开一种整合式被动模组、半导体装置及其制作方法,整合式被动模组包括陶瓷基板、平坦层以及薄膜积层。陶瓷基板嵌设有至少一个第一被动元件。平坦层设置于陶瓷基板之上。薄膜积层具有至少一个第二被动元件。薄膜积层设置于平坦层之上。薄膜积层与第一被动元件电性连接。一种半导体装置,其包括整合式被动模组以及至少一个主动元件,主动元件与整合式被动模组的第一被动元件及第二被动元件电性连接。
搜索关键词: 整合 被动 模组 半导体 装置 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种整合式被动模组,包括:经研磨的共烧陶瓷基板,包括一研磨表面并嵌设有至少一个第一被动元件,所述第一被动元件包括电容、电感或压敏电阻,所述第一被动元件的所述电容的电容值小于或等于100nF,所述第一被动元件的所述电感的电感值大于或等于1nH;平坦层,设置于所述陶瓷基板之所述研磨表面上;薄膜积层,具有至少一个第二被动元件,所述薄膜积层设置于所述平坦层之上,所述第二被动元件与所述第一被动元件电性连接,所述第二被动元件包括电容、电感或电阻,所述第二被动元件的所述电容的电容值小于或等于20pF,所述第二被动元件的所述电感的电感值小于或等于50nH,所述第一被动元件的体积大于所述第二被动元件的体积;以及线路重布层,设置于所述薄膜积层之上,所述线路重布层与所述第二被动元件及所述第一被动元件电性连接。
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