[发明专利]番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法

摘要

本发明公开了一种番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，包括以下步骤：西红花球茎于温水浸泡后进行水培催芽，取球茎的侧芽进行培养，剥取所得的无菌苗上的茎尖分生组织进行培养，待长到1.5cm～2.0cm高时作为植株Ⅰ，对植株Ⅰ进行菜豆黄花叶病毒颗粒检测，如果检测到病毒颗粒，从该植株Ⅰ上剥取茎尖分生组织，以此替代上述步骤中的剥取自无菌苗上的茎尖分生组织重复上述步骤，直至获得不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ为止；将不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ进行培养；诱导出的丛生芽接种到球茎诱导膨大培养基上进行培养，直至长成所需的规格。采用该方法能在短时间内生产大量遗传背景相同的优质脱毒健康种苗。

主权项

番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，其特征是依次包括以下步骤：1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的西红花球茎于55～65℃的温水浸泡后进行水培催芽；培养条件为26～28℃、暗培养；2)、待球茎的侧芽芽眼萌发且长成高度≥0.5cm时，抹下整个侧芽，将上述侧芽消毒后，切取其基部0.2cm～0.5cm接种到生长培养基上进行培养，从而获得无菌苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m^‑2·s^‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；3)、待上述无菌苗长至1.0～1.2cm高时，剥取无菌苗上的3mm～5mm茎尖分生组织，将茎尖分生组织接种到生长培养基上进行培养，从而获得茎尖分生组织诱导的苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m^‑2·s^‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；4)、待上述茎尖分生组织诱导的苗长到1.5cm～2.0cm高时作为植株Ⅰ；切取植株Ⅰ上叶片，提取汁液，进行菜豆黄花叶病毒颗粒检测；如果没有检测到病毒颗粒，则进入下述步骤5)；如果检测到病毒颗粒，从该植株Ⅰ上剥取3mm～5mm茎尖分生组织，以此替代步骤3)中的剥取自无菌苗上的3mm～5mm茎尖分生组织重复上述步骤3)，直至获得不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ为止；5)、将步骤4)所得的不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ接种到诱导丛生芽培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m^‑2·s^‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；6)、待从植株Ⅰ上诱导出的丛生芽长到1.0～1.5cm高时，割取2～3株作为丛生植株Ⅱ；将上述丛生植株Ⅱ接种到增殖培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m^‑2·s^‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；7)、待上述植株Ⅱ长出的丛生芽长到1.0～2.0cm高，割取1～3株作为植株Ⅲ；将此植株Ⅲ接种到球茎诱导膨大培养基上进行培养，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m^‑2.s^‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行。