[发明专利]一种GaN基激光器制备方法和结构有效
| 申请号： | 201510828233.5 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105406358B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李亮;刘应军;汤宝;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾;程殿军 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体光电技术领域，提供了一种GaN基激光器制备方法和结构，所述制备方法包括：在第一外延片的表面p‑GaN层上沉积介质膜；通过光刻或者刻蚀方式，在所述介质膜上形成双脊窗口区，所述双脊窗口区贯穿到所述p‑GaN层；在所述双脊窗口区范围内的所述p‑GaN层上外延生长p‑GaN；在外延生长的p‑GaN表面交替沉积高低折射率材料，形成介质膜上限制层。在介质膜上限制层上沉积金属，由所述沉积金属构成p电极。本发明所述的激光器采用介质膜形成激光器上限制层，可有效增加激光器的限制因子，降低内损耗；此外电流通过p‑GaN注入，可有效减小激光器电阻，降低激光器工作电压，提升激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 激光器 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基激光器制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在第一外延片的表面p‑GaN层上沉积介质膜；通过光刻或者刻蚀方式，在所述介质膜上形成双脊窗口区，所述双脊窗口区贯穿到所述p‑GaN层；在所述双脊窗口区范围内的所述p‑GaN层上外延生长p‑GaN；在外延生长的p‑GaN表面交替沉积高低折射率材料，形成介质膜上限制层；在介质膜上限制层上沉积金属，由所述沉积金属构成p电极。
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