[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510828720.1 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105655400B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34;H01L29/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第1绝缘层，设置有到达第1电极的第1开口部，并且在第1开口部具有环状的第1侧壁；氧化物半导体层，配置于第1侧壁，并且与第1电极连接；栅极绝缘层，配置于氧化物半导体层上；栅电极，与配置于第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和第2电极，配置于第1绝缘层的上方，并且与氧化物半导体层连接，氧化物半导体层配置于第1侧壁与栅极绝缘层之间，栅极绝缘层配置于氧化物半导体层与栅电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：第1电极；第1绝缘层，设置有到达所述第1电极的第1开口部，在所述第1开口部具有环状的第1侧壁；氧化物半导体层，配置于所述第1侧壁，与所述第1电极连接；栅极绝缘层，配置于所述氧化物半导体层上；栅电极，与配置于所述第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和第2电极，配置于所述第1绝缘层的上方，与所述氧化物半导体层连接，所述氧化物半导体层配置于所述第1侧壁与所述栅极绝缘层之间，所述栅极绝缘层配置于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间。
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