[发明专利]低温多晶硅薄膜及薄膜晶体管的制备方法、以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201510831028.4 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105355544A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上沉积非晶硅层；对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写；对所述非晶硅层进行激光退火处理，使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。上述低温多晶硅薄膜的制备方法，由于对非晶硅层的预定区域进行光刻写，以改变非晶硅层不同区域的吸光系数，利用吸光系数的不同，使得在激光退出时非晶硅层形成温度梯度，从而使制得的低温多晶硅薄膜的多晶硅的晶粒较大、分布较均匀。此外，上述工艺简单、易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 薄膜晶体管 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上沉积非晶硅层；对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写；对所述非晶硅层进行激光退火处理，使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
