[发明专利]一种LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法在审
| 申请号： | 201510832133.X | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105428250A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李彦睿;王春富;秦跃利 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 钱成岑 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及LTCC、薄膜及混合基板制造技术领域，本发明公开了一种在LTCC基板表面制作薄膜电路时的腔体平坦化处理的方法，其具体包括步骤一、将光敏干膜压贴在含有腔体的LTCC基板表面，使其覆盖基板的腔体区域和平面区域，再对光敏干膜表面进行整体曝光和显影，使得腔体区域边缘的光敏干膜溶解，整个腔体区域的干膜脱落，非腔体区域的干膜形成干膜保护层；步骤二、将硅胶溶胶涂覆在干膜保护层上以及腔体内，静置后将多余硅胶刮除，经过再一次静置后放入烘箱内烘烤固化硅胶，形成硅胶填充块；步骤三、LTCC基板整体磁控溅射Au膜层。由于腔体结构影响被消除，LTCC基板表面可以直接集成高精度薄膜电路，设计普适性得到提高，对于多品种小批量的产品线有明显优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ltcc 表面 平坦 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法，其具体包括以下的步骤：步骤一、将光敏干膜压贴在含有腔体的LTCC基板表面，使其覆盖基板的腔体区域和平面区域，再对光敏干膜表面进行整体曝光和显影，使得腔体区域边缘的光敏干膜溶解，整个腔体区域的干膜脱落，非腔体区域的干膜形成干膜保护层；步骤二、将硅胶溶胶涂覆在干膜保护层上以及腔体内，静置后将多余硅胶刮除，经过再一次静置后放入烘箱内烘烤固化硅胶，形成硅胶填充块；步骤三、使用有机溶液去除干膜保护层，然后在去除干膜保护层后的基板表面整体沉积连续的Au金膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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